PHIGENESIS Model 900 for HAXPES

無(wú)需濺射刻蝕的深度探索

下一代透明發(fā)光材料使用直徑約為10nm~50nm 的納米量子點(diǎn)(QDs)，結(jié)合使用 XPS(Al Ka X射線)和 HAXPES(Cr Ka x射線)對(duì)同一微觀特征區(qū)域進(jìn)行分析，可以對(duì) QDs 進(jìn)行詳細(xì)的深度結(jié)構(gòu)分析。

XPS 和HAXPES 的結(jié)合使用，可以對(duì)納米顆粒進(jìn)行深度分辨、定量和化學(xué)態(tài)分析，從而避免離子束濺射引起的損傷。

‍

硬X射線光電子能譜儀HAXPES深層界面的分析

在兩種x射線源中，只有 Cr Ka XPs 能探測(cè)到 Y0,下方距離表面 14nm 處的 Cr層。擬合后的譜圖確定了 Cr 的化學(xué)態(tài)。另外，通過(guò)比較，光電子起飛角90°和30°的 Cr Ka 譜圖結(jié)果發(fā)現(xiàn)在較淺(表面靈敏度更高)的起飛角時(shí)，氧化物的強(qiáng)度較高，表明 Cr 氧化物處于 Y,0,和 Cr 層之間的界面。‍

PHI 硬X射線光電子能譜儀內(nèi)核電子的探測(cè)

Cr Ka 提供了額外的 Al Ka 不能獲取的內(nèi)核電子基于 Cr Ka 的高能光電子，通常有多個(gè)額外的躍遷可用于分析。

應(yīng)用領(lǐng)域

主要應(yīng)用于電池、半導(dǎo)體、光伏、新能源、有機(jī)器件、納米顆粒、催化劑、金屬材料、聚合物、陶瓷等固體材料及器件領(lǐng)域。

用于全固態(tài)電池、半導(dǎo)體、光伏、催化劑等領(lǐng)域的先進(jìn)功能材料都是復(fù)雜的多組分材料，其研發(fā)依賴于化學(xué)結(jié)構(gòu)到性能的不斷優(yōu)化。ULVAC-PHI，Inc.提供的全新表面分析儀器“PHI GENESIS” 全自動(dòng)多功能掃描聚焦X射線光電子能譜儀，具有*性能、高自動(dòng)化和靈活的擴(kuò)展能力，可以滿足客戶的所有分析需求。

PHI GENESIS 多功能 分析平臺(tái)在各種研究領(lǐng)域的應(yīng)用

電池        AES/Transfer Vessel

“LiPON/LiCoO 2 橫截面的 pA-AES Li 化學(xué)成像”

Li 基材料例如 LiPON，對(duì)電子束輻照敏感。

PHI GENESIS 提供的高靈敏度能量分析器可以在低束流（300pA）下快速獲取 AES 化學(xué)成像。

有機(jī)器件     UPS/LEIPS/GCIB

使用 UPS/LEIPS 和 Ar-GCIB 測(cè)量能帶結(jié)構(gòu)

(1)C60薄膜表面

(2)C60薄膜表面清潔后

(3)C60薄膜 /Au 界面

(4)Au 表面

通過(guò) UPS/LEIPS 分析和 Ar-GCIB 深度剖析可以確定有機(jī)層的能級(jí)結(jié)構(gòu)。

半導(dǎo)體    XPS/HAXPES

半導(dǎo)體器件通常由包含許多元素的復(fù)雜薄膜組成，它們的研發(fā)通常需要對(duì)界面處的化學(xué)態(tài)進(jìn)行無(wú)損分析。為了從深層界面獲取信息，例如柵極氧化膜下的 GaN，使用 HAXPES 是非常有必要的。

微電子     HAXPES

微小焊錫點(diǎn)分析HAXPES 分析數(shù)據(jù)顯示金屬態(tài)Sn 的含量高于 XPS 分析數(shù)據(jù)，這是由于Sn 球表面被氧化，隨著深度的加深，金屬態(tài)Sn的含量越高，正好符合HAXPES 分析深度比 XPS 深的特點(diǎn)。